三星电子通过基于High-K Metal Gate（HKMG）工艺技术的512GB DDR5模块扩展了其DDR5 DRAM产品。对于行业而言，这是我们预计将在2022年的部署中看到的一次重大过渡，这将成为未来服务器领域的主要轮廓和方向。
三星DDR5 512GB内存模块
自三星于2014年首次将TSV用于DDR4 DRAM来填补256GB DIMM产品线以来，新的三星DDR5 512GB内存模块是该公司在服务器内存市场上的首次重大升级。DDR5与AMD EPYC 7004 Genoa，Intel的Xeon Sapphire，还有一些ARM厂商，将引爆整个服务器行业。
借助TSV（硅直通）技术，该DDR5内存模块堆叠了八层16Gb DRAM的芯片，可在单个内存模块中提供512GB的内存容量。三星表示，新DDR5内存模块能够以高达7200MB/s的速度将DDR4的速度提升一倍，大约可以和硬盘1MBps的速度相匹配。这个比较可能不太确切，但是我们知道其他人可能关注到了7200，并认为这是磁盘的rpm。三星还表示，新的DDR5内存模块的功耗将降低13%，云提供商通常希望将其大部分电源能耗都用在CPU和加速器上，因此内存，存储和互连功能使用较少的能能耗是一个目标。
小结
除了内存模块本身，其背后的潜在原因可能是更重要的故事了，从Ivy Bridge Intel Xeon E5-2600 V2的DDR3到Haswell E5-2600 V3的DDR4的转换是性能的提升，我们获得了新的功能，但除此之外就没什么了。从DDR4到DDR5的转换即将到来了，到那时，我们将看到架构的巨大转变，将会有诸如CXL之类的技术可以启用内存池并开始解耦的处理。PCIe Gen5的连接将使外设带宽大约增加一倍。
下一代芯片的另一个主要变化是，我们将开始看到更具扩展性的封装。我们将看到IP块组，而不是单片芯片，这些IP块组将被捆绑在一起来添加CPU内核，内存link和PCIe link，还有其他可能的加速器。随着Core数量以及外部I/O链接数量的增加，对内存的需求将以比DDR4交付的速度更快的速度来增长。DDR5带来了新技术，这些技术将有助于满足下一代芯片在带宽和容量上需求。
DDR5为2TB的LRDIMM铺平了道路，以更低的功耗获得更高的带宽将有助于在未来提高密度，三星已经用512GB的DDR5内存模块开始走这条路了。
很多人都在询问价格，这只是样品，距离主要的平台的发布以支持这个DIMM还有几个季度的时间。不过，512GB的内存模块将会很贵的。
注:
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG技术几乎已经成为45nm以下制程的必备技术。HKMG制造的晶体管结构和原来的平面晶体管相同，只是以High-K绝缘层代替传统的SiO2氧化层，并以金属材料栅极代替原来的硅材料栅极，其优势是可以提高晶体管的开关速度，并减小栅极的漏电流。
